قدّمت شركة سامسونغ للإلكترونيات عرضها لأول حوسبة في الذاكرة في العالم تعتمد على تقنية ذاكرة الوصول العشوائي المقاومة المغناطيسية MRAM، ونشرت الشركة الورقة البحثية الخاصة بهذا الابتكار على الإنترنت في مجلة Nature. وتعرض الورقة تقنية ذاكرة سامسونغ وجهودها لدمج الذاكرة وأشباه الموصلات في الجيل التالي من شرائح الذكاء الاصطناعي. وفقاً لتقرير نشره موقع koreaittimes.
وأضاف التقرير قاد البحث معهد سامسونغ المتقدم للتكنولوجيا بالتعاون مع جهات أخرى تابعة للمجموعة، وقام الباحثون بتقديم حل لمشاكل الذاكرة من خلال ابتكار معماري جديد، ونجحوا في تطوير شريحة مصفوفة MRAM توضح الحوسبة في الذاكرة عن طريق استبدال بنية الحوسبة القياسية في الذاكرة بهندسة حوسبة جديدة في الذاكرة "لمجموع المقاومة، والتي تعالج المشكلة المقاومات الصغيرة لأجهزة MRAM الفردية.
واختبر فريق البحث في سامسونغ لاحقاً أداء شريحة الحوسبة في الذاكرة MRAM عن طريق تشغيلها لأداء حوسبة الذكاء الاصطناعي. وحققت الشريحة دقة تصل إلى 98٪ في تصنيف الأرقام المكتوبة بخط اليد و93٪ دقة في الكشف عن الوجوه من المشاهد.
وأشار الباحثون إلى أنه لا يمكن استخدام شريحة MRAM الجديدة هذه في الحوسبة داخل الذاكرة فحسب، بل يمكن أيضاً استخدامها كمنصة لتنزيل الشبكات العصبية البيولوجية. ويتماشى هذا مع رؤية الإلكترونيات العصبية التي طرحها باحثو سامسونغ مؤخراً في ورقة بحثية سابقة.